Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 300 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +175 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
- Baixas perdas de comutação e condução
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor suportada pelo FS150R12W3T7_B11?
A tensão do coletor-emissor (Vces) suportada pelo módulo é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS150R12W3T7_B11?
A temperatura de operação do FS150R12W3T7_B11 varia de -40 °C a +175 °C.
Quais as características de encapsulamento e tecnologia do FS150R12W3T7_B11?
O FS150R12W3T7_B11 utiliza o package EconoDUAL™ 3 e incorpora a tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop) com diodo de freio integrado (Fast Diode), além de isolamento galvânico.