Descrição
Módulo de potência IGBT de 1200V com corrente nominal de 150A, projetado para aplicações de alta eficiência em inversores e conversores.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 150 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 300 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 200 nA (máx.) |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Resistência térmica Coletor | Case (Rthjc): 0.24 K/W |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
Recursos
- Tecnologia IGBT
FAQ
Qual a tensão máxima que o FS150R12N3T7 pode suportar?
O módulo de potência FS150R12N3T7 suporta uma tensão Coletor: Emissor (Vces) de 1200 V e uma tensão de isolamento de 2500 Vrms.
Quais as características de corrente e temperatura do FS150R12N3T7?
O FS150R12N3T7 possui corrente contínua de coletor (Ic) de 150 A e corrente pulsada de coletor (Icm) de 300 A. Sua temperatura de operação (Tj) varia de -40 °C a +150 °C.
Quais são as principais características de encapsulamento e tecnologia do FS150R12N3T7?
O FS150R12N3T7 utiliza a tecnologia IGBT e é encapsulado em um EconoDUAL™ 3. Possui 6 componentes e uma resistência térmica Coletor: Case (Rthjc) de 0.24 K/W.