Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor de frequência e acionamento de motor.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 150 A |
| Tecnologia IGBT | Trench/Fieldstop |
| Tipo de diodo | Diode |
| Configuração | Half-bridge |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.24 K/W |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA (típico) |
FAQ
Qual a tensão de isolamento do módulo de potência Infineon FS150R12N2T7_B15?
A tensão de isolamento do módulo é de 2500 Vrms.
Quais as temperaturas de operação do módulo Infineon FS150R12N2T7_B15?
O módulo Infineon FS150R12N2T7_B15 opera entre -40°C e +125°C.
Qual a configuração do Infineon FS150R12N2T7_B15 e quais as tensões de gate?
O módulo possui configuração Half-bridge e as tensões de gate são de ±20 V.