Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 150 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Diodo de freio | Integrado (Fast Diode) |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 1 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.24 K/W |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
FAQ
Qual a tensão máxima que o FS150R12KT4_B9 pode suportar?
A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a tensão de isolamento é de 2500 Vrms.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS150R12KT4_B9?
A temperatura de operação do FS150R12KT4_B9 varia de -40 °C a 150 °C.
Quais são as principais características elétricas do FS150R12KT4_B9?
O FS150R12KT4_B9 possui corrente contínua do coletor (Ic) de 150 A, tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.8 V (típico), tensão de limiar do gate-emissor (VGE(th)) de 5.5 V (típico) e corrente de gate (Ig) de 200 nA.