Infineon FS150R12KT4_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 150 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de fuga reversa (Ir) 2 mA
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.25 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Tensão de isolamento 2500 Vrms
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Configuração 3-fase ponte retificadora com freio

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta velocidade
  • Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor suportada pelo módulo FS150R12KT4_B11?

A tensão do coletor-emissor (Vces) suportada pelo módulo é de 1200 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do FS150R12KT4_B11?

A faixa de temperatura de operação do FS150R12KT4_B11 é de -40 °C a +125 °C.

Quais as características de encapsulamento e configuração do FS150R12KT4_B11?

O FS150R12KT4_B11 utiliza o package EconoDUAL™ 3 e possui uma configuração de ponte retificadora trifásica com freio.

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