Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 150 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 300 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, off) | 2 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente máxima do gate | emissor (Ig, max): ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FS150R12KT4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS150R12KT4?
O FS150R12KT4 opera em temperaturas entre -40 °C e 150 °C.
Quais as principais características do FS150R12KT4?
O FS150R12KT4 utiliza a tecnologia IGBT 4, possui diodo de freio integrado e isolamento galvânico. Além disso, a corrente nominal do coletor (Ic) é de 150 A, e a corrente nominal do coletor pulsada (Ic, pulsado) é de 300 A.