Infineon FS10R12VT3

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 10 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate emissor (Ige): ±200 mA
Package EconoDUAL™ 3
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +150 °C
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta velocidade
  • Diodo de freio rápido integrado
  • Baixa perda de condução e comutação

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FS10R12VT3?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FS10R12VT3 é de 1200 V.

Em quais temperaturas o FS10R12VT3 pode operar?

O FS10R12VT3 pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.

Quais são as aplicações típicas do FS10R12VT3?

O FS10R12VT3 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Sistemas de Alimentação Ininterrupta) e fontes de alimentação.

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