Infineon FS100R17N3E4_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ 5, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ 5, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 100 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5
Tipo de diodo Emitter Controlled
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate emissor (Ige): ±200 mA
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.25 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de chaves 6
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +150 °C
Aplicações Inversores solares, UPS, acionamentos de motor

FAQ

Qual a tensão máxima suportada pelo módulo FS100R17N3E4_B11?

A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V.

Quais as aplicações típicas do módulo FS100R17N3E4_B11 e qual sua faixa de temperatura de operação?

O FS100R17N3E4_B11 é projetado para inversores solares, UPS e acionamentos de motor. Sua faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +150 °C.

Qual a tecnologia IGBT utilizada no FS100R17N3E4_B11 e qual o seu tipo de encapsulamento?

O módulo utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ 5 e é encapsulado em EconoDUAL™ 3.

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