Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e tecnologia de diodo de roda livre FAST. Projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Tecnologia de diodo | FAST |
| Número de pinos | 7 |
| Tipo de encapsulamento | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Corrente de pulso do coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do FS100R12N2T4P?
O módulo de potência FS100R12N2T4P possui encapsulamento EconoDUAL™ 3.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS100R12N2T4P?
O FS100R12N2T4P pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a 150 °C.
Qual a tensão de coletor-emissor e a corrente contínua do coletor do FS100R12N2T4P?
O FS100R12N2T4P possui tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V e corrente contínua do coletor (Ic) de 100 A.