Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 100 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motores |
| Terminais | Screw terminals |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS100R12KT4G?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a tensão de gate-emissor (Vge) é de ±20 V.
Em quais aplicações o FS100R12KT4G pode ser utilizado?
O FS100R12KT4G é indicado para inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motores.
Quais são as características de encapsulamento e temperatura de operação do FS100R12KT4G?
O FS100R12KT4G possui encapsulamento EconoDUAL™ 3 e opera em temperaturas entre -40 °C a 150 °C. O módulo possui 6 componentes e terminais screw terminals.