Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 100 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 300 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6-pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS100R12KT4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do FS100R12KT4 é de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação do FS100R12KT4?
O FS100R12KT4 opera em temperaturas que variam de -40 °C a 150 °C.
Em quais aplicações o FS100R12KT4 é tipicamente utilizado?
O FS100R12KT4, sendo um módulo de potência IGBT, é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.