Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 100 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Configuração | 3-fase ponte retificadora com freewheeling diodes |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo FS100R12KE3G?
O módulo de potência FS100R12KE3G da Infineon suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS100R12KE3G?
A faixa de temperatura de operação do FS100R12KE3G é de -40 °C a +150 °C.
Quais as características do encapsulamento e configuração do FS100R12KE3G?
O FS100R12KE3G possui encapsulamento EconoDUAL™ 3 e é configurado como uma ponte retificadora trifásica com diodos de roda livre, contendo 6 componentes.