Infineon FS100R07N2E4_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

SKU: FS100R07N2E4_B11 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 700 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 100 A
Tecnologia IGBT Trench/Fieldstop
Diodo de roda livre SiC (Carbeto de Silício)
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Ige) ±200 mA
Resistência térmica junção a-case (RthJC): 0.25 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de chaves 6
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +150 °C
Aplicações Inversores solares, sistemas de energia renovável, acionamentos de motor

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor suportada pelo FS100R07N2E4_B11?

O módulo de potência IGBT FS100R07N2E4_B11 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 700 V.

Em quais aplicações o FS100R07N2E4_B11 é tipicamente utilizado?

Este módulo é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas de energia renovável e acionamentos de motor.

Qual a faixa de temperatura de operação do FS100R07N2E4_B11?

A faixa de temperatura de operação do FS100R07N2E4_B11 é de -40 °C a +150 °C.

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