Infineon FS100R07N2E4

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 700 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 100 A
Tecnologia IGBT Trench/Fieldstop
Diodo de roda livre SiC (Carbeto de Silício)
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de pico do coletor (Icm) 200 A
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.25 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de chaves 6
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +150 °C
Aplicações Inversores solares, sistemas de energia renovável, drives de motor

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor suportada pelo FS100R07N2E4?

O módulo de potência FS100R07N2E4 suporta uma tensão do coletor-emissor (Vces) de 700 V.

Em quais faixas de temperatura o FS100R07N2E4 pode operar e qual seu encapsulamento?

O FS100R07N2E4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C e possui encapsulamento EconoDUAL™ 3.

Quais as aplicações típicas do FS100R07N2E4 e qual a tecnologia IGBT utilizada?

O FS100R07N2E4 é tipicamente aplicado em inversores solares, sistemas de energia renovável e drives de motor. Ele utiliza a tecnologia IGBT Trench/Fieldstop com diodo de roda livre em SiC (Carbeto de Silício).

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