Infineon FS100R06W2E3B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 100 A
Tecnologia IGBT Trench Fieldstop
Diodo de roda livre Rápido
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de fuga reversa (Ir) 1 mA
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.32 K/W
Package E3B11 (Baseplate)
Número de componentes 6
Temperatura de operação -40 °C a 150 °C

FAQ

Qual a tensão máxima suportada pelo IGBT FS100R06W2E3B11?

A tensão coletor-emissor (Vces) máxima é de 600 V.

Em qual faixa de temperatura o FS100R06W2E3B11 pode operar?

O FS100R06W2E3B11 pode operar em temperaturas de -40 °C a 150 °C.

Qual a corrente contínua máxima do coletor e qual a tecnologia IGBT utilizada?

A corrente contínua do coletor (Ic) é de 100 A e a tecnologia IGBT utilizada é Trench Fieldstop.

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