Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 900 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.04 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado com baixa perda de condução
- Alta densidade de potência
- Adequado para aplicações de alta frequência
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do FR900R12IP4D?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do FR900R12IP4D é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FR900R12IP4D?
A faixa de temperatura de operação do FR900R12IP4D é de -40°C a +125°C.
Quais as aplicações típicas do FR900R12IP4D?
O FR900R12IP4D é projetado para aplicações de inversor solar e UPS, e é adequado para aplicações de alta frequência devido à sua tecnologia IGBT 4 e diodo de freio integrado com baixa perda de condução.