Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo de freio | Diode 5 |
| Configuração | 6 pacotes |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (VGE(th)) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.32 K/W |
| Isolamento | 2500 Vrms |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo FP75R12N2T7_B11?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do FP75R12N2T7_B11 é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo FP75R12N2T7_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.
Qual o tipo de isolamento e a tensão de isolamento fornecida pelo FP75R12N2T7_B11?
O FP75R12N2T7_B11 possui isolamento de 2500 Vrms.