Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7 e CoolSiC™ MOSFET para aplicações de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT7 |
| Tecnologia MOSFET | CoolSiC™ |
| Configuração | 6 em 1 (seis IGBTs em um único pacote) |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.55 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 150 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.31 K/W |
| Package | EasyPACK™ 2B |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motores |
Recursos
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tecnologia IGBT utilizada no FP75R12N2T7 e qual sua configuração?
O FP75R12N2T7 utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7 e possui configuração 6 em 1, ou seja, seis IGBTs em um único pacote.
Quais as aplicações típicas do FP75R12N2T7 e qual sua faixa de temperatura de operação?
O FP75R12N2T7 é utilizado em aplicações como inversores solares, UPS e acionamentos de motores. Sua faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.
Quais as características de tensão e corrente do FP75R12N2T7?
O FP75R12N2T7 possui tensão do coletor: emissor (Vces) de 1200 V e corrente nominal do coletor (Ic) de 75 A. A corrente de pico do coletor (Icm) é de 150 A. A tensão de saturação do coletor: emissor (Vce(sat)) é de 1.55 V (típico).