Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.31 K/W |
| Tensão de isolamento (Viso) | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT NBG (New Generation)
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal do coletor do FP75R12N2T4_B11?
A tensão nominal coletor-emissor (Vces) é 1200 V, e a corrente nominal do coletor (Ic) é 75 A. A corrente pulsada do coletor (Ic, pulsado) é 150 A.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
A faixa de temperatura de operação do FP75R12N2T4_B11 é de -40 °C a +125 °C.
Quais são as aplicações típicas do FP75R12N2T4_B11?
As aplicações típicas do FP75R12N2T4_B11 incluem inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor.