Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal | 75 A |
| Configuração | 6 pacotes de transistores IGBT com diodos anti-paralelos |
| Tensão de saturação Vce(sat) | 1.7 V (típico) |
| Corrente de coletor contínua Ic | 75 A a 100°C |
| Corrente de coletor pulsada Icm | 150 A |
| Tensão de gate | emissor Vge(th): 5.5 V |
| Corrente de gate Ig | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case Rth(jc): 0.33 K/W |
| Temperatura de operação | -40°C a 150°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodos de roda livre integrados
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal do FP75R12KT4P_B11?
O módulo de potência FP75R12KT4P_B11 possui uma tensão nominal de 1200 V e uma corrente nominal de 75 A.
Quais as temperaturas de operação e a resistência térmica do FP75R12KT4P_B11?
A temperatura de operação do FP75R12KT4P_B11 varia de -40°C a 150°C. A resistência térmica junção-case é de 0.33 K/W.
Quais as características principais do IGBT utilizado no FP75R12KT4P_B11?
O FP75R12KT4P_B11 utiliza a tecnologia IGBT 4, com diodos de roda livre integrados. O módulo possui baixas perdas de condução e chaveamento. A tensão de saturação Vce(sat) é de 1.7 V (típico), a corrente de coletor contínua Ic é de 75 A a 100°C, e a corrente de coletor pulsada Icm é de 150 A.