Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Corrente nominal contínua (Ic) | 75 A |
|---|---|
| Tensão coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.31 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do FP75R12KT4B15?
A faixa de temperatura de operação do FP75R12KT4B15 é de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do FP75R12KT4B15?
O FP75R12KT4B15 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Sistemas de Alimentação Ininterrupta) e fontes de alimentação industriais.
Qual a tensão de saturação coletor-emissor (típica) do FP75R12KT4B15?
A tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) típica do FP75R12KT4B15 é de 1.7 V.