Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Diodo de freewheeling | RCDC |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 15 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor |
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor suportada por este módulo IGBT?
O módulo Infineon FP75R12KT4_B16 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais aplicações típicas este módulo IGBT é utilizado?
Este módulo IGBT é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor.
Qual a temperatura de operação do módulo FP75R12KT4_B16?
A temperatura de operação do módulo FP75R12KT4_B16 varia de -40°C a +125°C.