Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motores industriais. |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente suportada pelo FP75R12KT4_B11?
A tensão nominal coletor-emissor (Vces) é de 1200 V, enquanto a corrente nominal contínua do coletor (Ic) é de 75 A e a corrente nominal pulsada do coletor (Icm) é de 150 A.
Em quais aplicações o módulo FP75R12KT4_B11 é comumente utilizado?
O FP75R12KT4_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motores industriais.
Quais são as especificações de temperatura e encapsulamento do FP75R12KT4_B11?
O FP75R12KT4_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C e possui o encapsulamento EconoDUAL™ 3.