Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.31 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Com diodo de roda livre integrado (FWD)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP75R12KT4?
O módulo FP75R12KT4 possui uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP75R12KT4?
O FP75R12KT4 pode operar em uma faixa de temperatura que vai de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características de corrente e tecnologia do FP75R12KT4?
O FP75R12KT4 é baseado na tecnologia IGBT 4 e possui uma corrente nominal do coletor (Ic) de 75 A, com capacidade de corrente pulsada de 150 A. Além disso, possui um diodo de roda livre (FWD) integrado.