Módulo IGBT Infineon FP50R12N2T7_B11: Alta Potência e Eficiência para suas Aplicações
Procurando um módulo IGBT trifásico de alta performance para seus projetos de eletrônica de potência? Apresentamos o Infineon FP50R12N2T7_B11, um componente de última geração que oferece excelente desempenho e confiabilidade para uma variedade de aplicações.
Especificações Técnicas do Infineon FP50R12N2T7_B11
O FP50R12N2T7_B11 é um módulo IGBT de 3 fases encapsulado no formato EconoPIM™ 2, projetado para oferecer alta eficiência e robustez em aplicações de alta potência. Confira suas principais características:
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente contínua de coletor (IC): 50A
- Corrente de pico repetitiva de coletor (ICRM): 100A
- Tecnologia de porta Trench IGBT7: garante baixa perda de comutação e alta velocidade
- Baixa tensão de saturação do coletor-emissor (VCEsat): aumenta a eficiência e reduz a dissipação de calor
- Temperatura de operação: -40°C a 175°C
- Sensor de temperatura NTC integrado: facilita o monitoramento térmico
- Substrato de Al2O3 com baixa resistência térmica: melhora a dissipação de calor
- Tecnologia PressFIT para conexão: garante alta confiabilidade e facilidade de montagem
Aplicações do Módulo IGBT Infineon
O FP50R12N2T7_B11 é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Inversores auxiliares
- Acionamentos de motores
- Servodrives
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Energia solar
- Aplicações de aquecimento por indução
Benefícios do Infineon FP50R12N2T7_B11
Ao escolher o FP50R12N2T7_B11, você se beneficia de:
- Alta eficiência energética, reduzindo perdas e custos operacionais
- Excelente desempenho térmico, garantindo confiabilidade em aplicações exigentes
- Construção robusta e durável, prolongando a vida útil do equipamento
- Facilidade de integração em projetos de eletrônica de potência
- Tecnologia avançada da Infineon, líder mundial em semicondutores de potência
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