Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Tensão de isolamento (Viso) | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Alta robustez contra curtos | circuitos |
Recursos
- Tecnologia IGBT NPT de 7ª geração
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão nominal de isolamento do FP50R12N2T7?
A tensão de isolamento (Viso) do módulo FP50R12N2T7 é de 2500 Vrms.
Quais as características de temperatura de operação do FP50R12N2T7?
O módulo FP50R12N2T7 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Em quais aplicações o FP50R12N2T7 é recomendado?
O FP50R12N2T7 é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia, utilizando tecnologia IGBT NPT de 7ª geração, e possui diodo de freio integrado.