Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT4
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP50R12KT4_B11?
O módulo IGBT FP50R12KT4_B11 possui uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V e opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as características de corrente do FP50R12KT4_B11?
A corrente nominal do coletor (Ic) é de 50 A, com uma corrente de pulso de 100 A (Ic, pulse). A corrente de fuga reversa (Ir) é de 1 mA.
Quais tecnologias e características o FP50R12KT4_B11 possui?
O FP50R12KT4_B11 utiliza a tecnologia IGBT4 e integra um diodo de freewheeling (Fast Diode). Possui isolamento galvânico e baixas perdas de condução e comutação. É encapsulado em um EconoDUAL™ 3.