Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e controle de motor.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor |
| Configuração | 6-pack IGBT |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FP50R12KT4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP50R12KT4?
As aplicações típicas incluem inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP50R12KT4?
A temperatura de operação do FP50R12KT4 varia de -40 °C a 150 °C.