Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3ª Geração
- Diodo de roda livre integrado
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FP50R12KT3?
O módulo FP50R12KT3 da Infineon suporta uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP50R12KT3?
A faixa de temperatura de operação do FP50R12KT3 é de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características do FP50R12KT3?
O FP50R12KT3 possui tecnologia IGBT de 3ª Geração, diodo de roda livre integrado e isolamento galvânico. Sua tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) é de 1.8 V (típico), com corrente nominal contínua do coletor (Ic) de 50 A e 6 chaves. Opera com tensão gate-emissor (Vge) de ±20 V e corrente de gate (Ig) de 1.5 A. O módulo é encapsulado em EconoDUAL™ 3.