Infineon FP50R06W2E3B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 50 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Corrente de pico do coletor (Icm) 100 A
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 200 mA
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.5 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
  • Isolamento galvânico

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FP50R06W2E3B11?

A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 600 V.

Quais as características de temperatura de operação do módulo?

A faixa de temperatura de operação do FP50R06W2E3B11 é de -40 °C a +125 °C. A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.5 K/W.

Quais as aplicações típicas e características do FP50R06W2E3B11?

O FP50R06W2E3B11 é projetado para aplicações de inversor solar e UPS. Ele utiliza tecnologia IGBT 4, possui diodo de freio rápido integrado e isolamento galvânico. A corrente contínua do coletor (Ic) é de 50 A, e a corrente de pico do coletor (Icm) é de 100 A. O pacote é EconoDUAL™ 3.

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