Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua de coletor (Ic) | 40 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 3-fase ponte retificadora |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do FP40R12KT3?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do FP40R12KT3 é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP40R12KT3?
O FP40R12KT3 pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas do FP40R12KT3?
O FP40R12KT3 é projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência, utilizando tecnologia IGBT 4, com configuração de 3-fase ponte retificadora e package EconoDUAL™ 3.