Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 40 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 80 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de semicondutores | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do FP40R12KE3?
O FP40R12KE3 utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo FP40R12KE3 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características técnicas do FP40R12KE3?
O FP40R12KE3 possui tecnologia IGBT 4, diodo de roda livre integrado e isolamento galvânico. Sua tensão nominal coletor-emissor (Vces) é de 1200 V, corrente nominal do coletor (Ic) é 40 A, e corrente de pico do coletor (Icm) é 80 A.