Infineon FP35R12W2T7_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 35 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Corrente de pico do coletor (Icm) 70 A
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.5 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Acionamentos de motor, fontes de alimentação industriais, sistemas de energia renovável

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência (TRENCHSTOP™ IGBT4)
  • Diodo de freio rápido integrado (Emitter Controlled Diode)

FAQ

Qual a tensão nominal e corrente nominal do coletor-emissor do FP35R12W2T7_B11?

A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é 1200 V, e a corrente nominal do coletor (Ic) é 35 A.

Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP35R12W2T7_B11?

O FP35R12W2T7_B11 é adequado para acionamentos de motor, fontes de alimentação industriais e sistemas de energia renovável.

Qual a faixa de temperatura de operação do FP35R12W2T7_B11?

A faixa de temperatura de operação do FP35R12W2T7_B11 é de -40 °C a +125 °C.

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