Infineon FP35R12W2T7

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tecnologia Trench IGBT 4
Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 35 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Corrente de pico do coletor (Icm) 70 A
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Ig) ±200 mA
Diodo de freio Rápido
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.65 K/W
Temperatura de operação -40°C a 150°C
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Aplicações Inversores solares, UPS, acionamentos de motor

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo FP35R12W2T7?

O módulo FP35R12W2T7 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.

Quais as temperaturas de operação do FP35R12W2T7?

O FP35R12W2T7 opera em temperaturas que variam de -40°C a 150°C.

Em quais aplicações o FP35R12W2T7 é tipicamente utilizado?

O FP35R12W2T7 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e acionamentos de motor.

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