Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 35 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo de roda livre | CAL 4 |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 3-Phase Bridge |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (Vge(th)) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 70 A |
| Temperatura de operação | -40°C a 175°C |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.55 K/W |
| Interface de gate | Press-fit |
FAQ
Qual a tensão máxima que o FP35R12W2T4P_B11 pode suportar?
A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP35R12W2T4P_B11?
O módulo opera em uma faixa de temperatura de -40°C a 175°C.
Quais são as principais características do IGBT utilizado no FP35R12W2T4P_B11?
O FP35R12W2T4P_B11 utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4, possui uma tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) típica de 1.7 V e uma tensão de limiar do gate (Vge(th)) típica de 5.5 V. O diodo de roda livre é do tipo CAL 4. A interface de gate é press-fit.