Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 35 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão nominal do diodo (Vf) | 1.5 V (típico) |
| Corrente nominal do diodo (If) | 35 A |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.5 K/W |
| Tensão de isolamento (Viso) | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de isolamento do módulo FP35R12W2T4P?
A tensão de isolamento (Viso) do FP35R12W2T4P é de 2500 Vrms.
Quais as temperaturas de operação do módulo FP35R12W2T4P?
O módulo FP35R12W2T4P opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo FP35R12W2T4P?
O FP35R12W2T4P é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e fontes de alimentação industriais.