Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 35 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 35 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Diodo de freio integrado | Sim |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal do coletor-emissor do FP35R12W2T4BOMA1?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do módulo de potência IGBT FP35R12W2T4BOMA1 é de 1200 V.
Em quais aplicações o FP35R12W2T4BOMA1 é tipicamente usado?
O FP35R12W2T4BOMA1 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Sistemas de Alimentação Ininterrupta) e fontes de alimentação industriais.
Qual a temperatura máxima de operação do FP35R12W2T4BOMA1?
A temperatura de operação do FP35R12W2T4BOMA1 varia de -40 °C a 150 °C.