Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de roda livre rápido.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 35 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo de roda livre | Rápido (Fast Diode) |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 70 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 3-fase ponte retificadora |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor suportada por este módulo?
O módulo Infineon FP35R12W2T4B11BOMA1 suporta uma tensão coletor-emissor de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura este módulo pode operar?
Este módulo IGBT opera em uma faixa de temperatura de junção (Tj) de -40 °C a +150 °C.
Quais são algumas aplicações típicas para o módulo FP35R12W2T4B11BOMA1?
As aplicações típicas do módulo FP35R12W2T4B11BOMA1 incluem inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e fontes de alimentação industriais.