Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 35 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 70 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 0.2 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor do FP35R12KT4P?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do FP35R12KT4P é de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do FP35R12KT4P?
O FP35R12KT4P é projetado para aplicações em inversores solares, UPS (Sistemas de Alimentação Ininterrupta) e fontes de alimentação.
Qual a temperatura de operação do FP35R12KT4P?
A temperatura de operação do FP35R12KT4P varia de -40 °C a +125 °C.