Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 35 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 70 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação |
| Número de componentes | 6 |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FP35R12KT4_B15?
A faixa de temperatura de operação do FP35R12KT4_B15 é de -40 °C a +125 °C.
Quais são as aplicações típicas do módulo de potência FP35R12KT4_B15?
O FP35R12KT4_B15 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS e fontes de alimentação.
Qual a tensão nominal do coletor-emissor e a corrente nominal do coletor do FP35R12KT4_B15?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é 1200 V e a corrente nominal do coletor (Ic) é 35 A.