Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência, parte da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 35 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de porta | emissor (Ige): ±200 mA |
| Tensão de limiar porta | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6-IGBT com diodo de roda livre |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal do coletor-emissor do FP35R12KT4_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do FP35R12KT4_B11 é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FP35R12KT4_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.
Quais são algumas características do FP35R12KT4_B11?
O FP35R12KT4_B11 possui tecnologia IGBT 4, baixas perdas de condução e comutação, e alta densidade de potência. Ele é configurado como 6-IGBT com diodo de roda livre e utiliza o package EconoDUAL™ 3.