Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 35 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 35 A |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado com baixa perda de condução
- Baixa indutância interna
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo IGBT FP35R12KT4?
O módulo IGBT FP35R12KT4 da Infineon possui uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais aplicações o módulo FP35R12KT4 é comumente utilizado?
O FP35R12KT4 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Sistemas de Alimentação Ininterrupta) e fontes de alimentação industriais.
Quais as principais características do diodo de freio integrado ao FP35R12KT4?
O módulo FP35R12KT4 possui um diodo de freio integrado com baixa perda de condução e corrente de fuga reversa (Ir) de 35A. Ele opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.