Infineon FP30R06W1E3_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tecnologia TrenchIGBT 4
Tensão do coletor emissor (Vces): 600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 30 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Corrente de pico do coletor (Icm) 120 A
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Ig) 100 nA
Diodo de freio integrado Sim
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.65 K/W
Temperatura de operação -40 °C a 150 °C
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais

FAQ

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FP30R06W1E3_B11?

O módulo FP30R06W1E3_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.

Qual a tensão de coletor-emissor (Vces) máxima suportada pelo módulo?

A tensão de coletor-emissor (Vces) máxima do módulo FP30R06W1E3_B11 é de 600 V.

Em quais aplicações o módulo FP30R06W1E3_B11 é tipicamente utilizado?

O módulo FP30R06W1E3_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supply) e fontes de alimentação industriais.

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