Infineon FP30R06W1E3

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tecnologia TrenchField IGBT3
Tensão do coletor emissor (Vces): 600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 30 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 100 nA
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.65 K/W
Diodo de freio integrado Sim
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor suportada pelo módulo FP30R06W1E3?

O módulo FP30R06W1E3 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 600 V.

Quais as aplicações típicas do módulo FP30R06W1E3?

O módulo FP30R06W1E3 é projetado para aplicações em inversores solares, sistemas UPS (Uninterruptible Power Supply) e fontes de alimentação industriais.

Qual a faixa de temperatura de operação do FP30R06W1E3?

A temperatura de operação do FP30R06W1E3 varia de -40 °C a +125 °C.

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