Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 25 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Diodo de freio | R (Fast Recovery) |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo IGBT FP25R12W2T4B11BOMA1?
A tensão coletor-emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o módulo FP25R12W2T4B11BOMA1 pode operar?
O módulo FP25R12W2T4B11BOMA1 opera em temperaturas de -40 °C a 150 °C.
Quais são as aplicações típicas do módulo de potência FP25R12W2T4B11BOMA1?
O módulo é projetado para aplicações em inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e fontes de alimentação industriais.