Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa do diodo (Ir) | 10 A |
| Tensão de ruptura reversa do diodo (Vr) | 1200 V |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Diodo de freio integrado de alta velocidade
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FP25R12W2T4_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e o diodo de freio integrado também possui uma tensão de ruptura reversa (Vr) de 1200 V.
Quais as características de corrente e temperatura de operação do módulo?
O módulo suporta uma corrente nominal do coletor (Ic) de 25 A, com um pico (pulso) de 50 A. Sua faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.
Que tipo de encapsulamento e tecnologia o FP25R12W2T4_B11 utiliza?
O FP25R12W2T4_B11 utiliza a tecnologia IGBT4 e é encapsulado em um EconoDUAL™ 3 com 7 pinos. Possui um diodo de freio integrado de alta velocidade.