Módulo IGBT Infineon FP25R12W2T4 – Alta Potência e Eficiência
Procurando um módulo IGBT de alta potência, confiabilidade e eficiência para sua aplicação? Apresentamos o Infineon FP25R12W2T4, um componente de destaque que oferece desempenho excepcional e durabilidade incomparável.
Especificações Técnicas do FP25R12W2T4:
- Tecnologia: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Tensão de Coleletor-Emissor (Vces): 1200V
- Corrente de Coleletor (Ic): 25A
- Configuração: Meia Ponte
- Encapsulamento: EasyPIM 2B
- Temperatura de Junção (Tj): -40°C a 150°C
- Sensor de Temperatura: Integrado
- Aplicações: Inversores, Conversores, Fontes de Alimentação, Drives de Motor
Características e Benefícios do FP25R12W2T4
O módulo IGBT Infineon FP25R12W2T4 oferece uma série de vantagens que o tornam a escolha ideal para suas necessidades:
- Alta Eficiência: Perdas de comutação reduzidas, garantindo maior eficiência energética em seus projetos.
- Robustez e Confiabilidade: Construído com materiais de alta qualidade e tecnologia avançada, o FP25R12W2T4 garante operação confiável mesmo em condições exigentes.
- Design Compacto: O encapsulamento EasyPIM 2B oferece um design compacto e leve, facilitando a integração em seus projetos.
- Sensor de Temperatura Integrado: Monitoramento preciso da temperatura para garantir operação segura e evitar falhas.
- Baixa Indutância: Minimiza interferências eletromagnéticas e melhora o desempenho geral do sistema.
Aplicações do Módulo IGBT
O Infineon FP25R12W2T4 é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Inversores solares
- Conversores de frequência
- Fontes de alimentação industriais
- Sistemas de aquecimento por indução
- Controles de motor
- Soldagem
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