Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EasyPACK 1B, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop Generation 7 |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EasyPACK 1B |
| Número de pinos | 7 |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação chaveadas, controle de motor |
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FP25R12W1T7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a temperatura de operação varia de -40 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP25R12W1T7_B11?
Este módulo é projetado para aplicações em inversores solares, fontes de alimentação chaveadas e controle de motor.
Quais as características do IGBT presente no FP25R12W1T7_B11?
O módulo utiliza a tecnologia IGBT Trench Fieldstop Generation 7, com corrente nominal do coletor (Ic) de 25 A, tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.7 V (típico), corrente de gate emissor (Vge) de ±20 V, e possui um diodo de roda livre integrado.