Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 50 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Tensão de isolamento (Viso) | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de 7ª geração
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de isolamento do módulo FP25R12U1T4?
A tensão de isolamento (Viso) do módulo FP25R12U1T4 é de 2500 Vrms.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP25R12U1T4?
A faixa de temperatura de operação do FP25R12U1T4 é de -40 °C a +125 °C.
Quais as características do diodo de freio integrado no FP25R12U1T4?
O FP25R12U1T4 possui um diodo de freio rápido (Fast Diode) integrado.