Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 25 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate | emissor (Ige): ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de transistores | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FP25R12KT3G?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FP25R12KT3G opera entre -40°C e +125°C.
Quais as características do encapsulamento e do número de transistores do módulo?
O módulo utiliza o package EconoDUAL™ 3 e possui 6 transistores.